在半導(dǎo)體晶圓制造的納米級工藝時代，靜電卡盤（ESC）電源已然成為芯片制造設(shè)備中不可或缺的核心組件。它憑借卓越的精密控制能力，如同一位精準(zhǔn)的 “操控者”，持續(xù)推動著集成電路制造技術(shù)不斷突破物理極限。這種基于靜電力學(xué)原理的先進(jìn)電源系統(tǒng)，通過精確控制高壓電場的生成，實(shí)現(xiàn)了對晶圓的非接觸式固定與操控，徹底改變了傳統(tǒng)機(jī)械夾具在超精密加工中容易產(chǎn)生誤差、造成損傷的局限性，為納米級工藝的穩(wěn)定進(jìn)行奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
當(dāng)正電壓或負(fù)電壓施加于靜電卡盤電極時，目標(biāo)物體內(nèi)部的電荷會被迫重新分布，進(jìn)而在電極與晶圓之間產(chǎn)生強(qiáng)大的庫侖力或 Johnsen-Rahbek 力。這種靜電力不僅能提供均勻穩(wěn)定的吸附力，讓晶圓在加工過程中保持穩(wěn)固，更重要的是，它避免了傳統(tǒng)夾具與晶圓接觸時帶來的顆粒污染和機(jī)械應(yīng)力。要知道，在包含數(shù)十億晶體管的先進(jìn)芯片制造中，哪怕是微小的瑕疵都可能影響芯片性能，尤其是在 5nm 制程工藝?yán)铮?.1μm 的位移誤差或顆粒污染，就足以導(dǎo)致整個芯片功能失效，而靜電卡盤及配套電源的應(yīng)用，有效規(guī)避了這類風(fēng)險(xiǎn)。顯然，靜電卡盤電源的性能直接決定了這一精密控制過程的成敗。
為應(yīng)對半導(dǎo)體制造中的復(fù)雜需求，威思曼針對性地開發(fā)了一系列卡盤電源產(chǎn)品。其中，“EC 卡盤電源” 憑借出色的性能，能夠滿足各種要求苛刻的應(yīng)用場景。該電源與威思曼其他系列卡盤電源一樣，采用了威思曼自主研發(fā)的放大器技術(shù)，這一技術(shù)讓電源在電壓和電流控制上更加精準(zhǔn)。同時，模塊化架構(gòu)設(shè)計(jì)使其具備強(qiáng)大的擴(kuò)展性，單系統(tǒng)可集成多個獨(dú)立通道，每個通道都能根據(jù)實(shí)際需求獨(dú)立配置參數(shù)，完美滿足多區(qū)域差異化吸附力控制需求。經(jīng)過實(shí)際驗(yàn)證，這項(xiàng)技術(shù)能將靜電卡盤系統(tǒng)的效率和吞吐量提升至其他電源的三倍。不僅如此，它還能減少背面氣體的錯誤，消除晶圓粘滯和爆裂等問題，極大地提升了生產(chǎn)的穩(wěn)定性。而且，這種設(shè)計(jì)大幅縮減了設(shè)備的空間占用，再加上冗余電源模塊與多重保護(hù)電路的配備，確保了系統(tǒng)在極端工況下也能穩(wěn)定運(yùn)行。
在實(shí)際應(yīng)用中，靜電卡盤電源性能的提升正持續(xù)推動半導(dǎo)體工藝不斷突破極限。從現(xiàn)有制程的穩(wěn)定生產(chǎn)到新工藝的研發(fā)探索，它都發(fā)揮著關(guān)鍵作用。隨著半導(dǎo)體器件向 3nm、2nm 節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，對靜電卡盤電源技術(shù)的要求也越來越高。更高的電壓精度（±0.01%）、更快的動態(tài)響應(yīng)（μs 級）以及與工藝設(shè)備的深度數(shù)據(jù)融合等，都成為了電源技術(shù)發(fā)展的方向。而威思曼的卡盤電源產(chǎn)品，也在不斷創(chuàng)新升級，為下一代半導(dǎo)體制造提供更強(qiáng)大的支撐，助力半導(dǎo)體行業(yè)在納米級制造領(lǐng)域不斷前行。
